S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M × 8 位）并行 NOR Flash 存儲器，采用 64-FBGA（13×11mm） 封裝。該芯片基于 MirrorBit? Eclipse? 架構(gòu)，適用于 嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制、汽車電子 等需要高速、高可靠性非易失存儲的應(yīng)用場景。

S29GL01GT10FHI010  規(guī)格參數(shù)

存儲容量：1Gb（128M × 8 位 / 64M × 16 位）

接口類型：并行（Parallel）

存取時間：100ns（最大）

寫周期時間：60ns（字/頁）

電源電壓：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ +85°C

封裝：64-FBGA（13×11mm）

數(shù)據(jù)保持時間：20年（典型值）

擦寫次數(shù)：100,000次（工業(yè)級）

符合標準：RoHS、無鉛

S29GL01GT10FHI010 產(chǎn)品特性

MirrorBit? Eclipse? 架構(gòu)：基于 45nm 工藝，提供高密度存儲與低功耗特性。

高速讀?。褐С?100ns 隨機存取，適用于實時數(shù)據(jù)處理。

靈活編程模式：支持 單字編程 和 多頁編程（最大 512 字節(jié)），提高寫入效率。

扇區(qū)保護機制：高級扇區(qū)保護（ASP），支持 易失性/非易失性 保護模式。

低功耗設(shè)計：單電源供電（2.7V~3.6V），適用于電池供電設(shè)備。

工業(yè)級可靠性：支持 -40°C ~ +85°C 寬溫工作，適用于嚴苛環(huán)境。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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