APT30M19JVR是一款由Microchip Technology生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET模塊，屬于MOS5系列。

APT30M19JVR技術(shù)參數(shù)

漏源電壓（Vdss）：300V

連續(xù)漏極電流（Id）：在25℃時(shí)最大為130A（Tc）

導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：在不同Id時(shí)，最大為19mΩ

柵源電壓（Vgs）：最大為±20V

柵極閾值電壓（Vgs(th)）：最大為4V

封裝類型：SOT-227-4，具有良好的散熱性能

安裝方式：底座安裝（Chassis Mount）

產(chǎn)品特點(diǎn)：APT30M19JVR 采用了 POWER MOS V? 技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)通過降低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和柵極電荷（Qg），有效減少了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了系統(tǒng)效率。其 SOT-227 封裝（也稱為ISOTOP?）提供了較高的功率密度和良好的散熱能力，適合高功率應(yīng)用。

典型應(yīng)用：APT30M19JVR適用于多種高功率場景，常見于開關(guān)電源、工業(yè)應(yīng)用和電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等領(lǐng)域。

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