NVMYS7D3N04CLTWG 是一款 MOSFET - 功率型、單 N 溝道 60 V、6.1 m、71 A 晶體管。

產品屬性

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss)：40 V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C：17A (Ta)，52A (Tc)

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：7.3mOhm @ 10A，10V

Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 30μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：1.8 nC @ 10 V

Vgs（最大）：± 20 V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：860 pF @ 25 V

功率耗散（最大）：3.8W (Ta)，38W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：表面貼裝

特點

占用空間?。?x6 毫米），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅動器損耗降至最低

LFPAK4 封裝，行業(yè)標準

通過 AEC-Q101 認證，并符合 PPAP 要求

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

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