NVMFS5C460NLAFT1G提供 N 溝道和 P 溝道版本的 MOSFET，利用其先進(jìn)的 Power Trench? 工藝，該工藝經(jīng)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了低 RDS(ON) 開(kāi)關(guān)性能和堅(jiān)固性。這些 PowerTrench? MOSFET 可滿足幾乎任何應(yīng)用的需要。onsemi / Fairchild 擴(kuò)展了 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線，以提供不同的漏極至源極電壓、漏極電流和 RDS(ON)。這一擴(kuò)展包括用于低 RDS(ON) 和高效率的先進(jìn)封裝和硅組合、熱效率封裝以及下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：21A（Ta），78A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

應(yīng)用

● 負(fù)載開(kāi)關(guān)

● 主交換機(jī)

● 移動(dòng)計(jì)算

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 同步整流器

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