MGD3160AM515EKR2是一款先進(jìn)的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動最新的 SiC 和 IGBT 模塊，適用于xEV 牽引逆變器、OBC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。提供集成電隔離、通過 SPI 的可編程接口以及先進(jìn)的可編程保護(hù)功能，如過熱、失飽和和電流感應(yīng)保護(hù)。能夠直接驅(qū)動 SiC MOSFET 和 IGBT 柵極：其高柵極電流和可編程柵極驅(qū)動電壓功能可提供高性能開關(guān)、低動態(tài)導(dǎo)通電阻和軌至軌柵極電壓控制。

主要特點(diǎn)

● 集成電隔離信號（高達(dá) 8 kV）

● 集成高柵極電流： 15 A 源/匯流能力

● 用于安全監(jiān)控、配置和診斷報告的 SPI 接口

● 支持高開關(guān)頻率： PWM 頻率高達(dá) 100 kHz

● 從 LV 和 HV 域進(jìn)行故障安全狀態(tài)管理，用戶可選擇安全狀態(tài)

● 擴(kuò)展范圍的可編程柵極電壓調(diào)節(jié)器

● 溫度感應(yīng)與 NTC 和 PTC 熱敏電阻兼容

● 可配置的去飽和和電流檢測功能，專為保護(hù) SiC 和 IGBT 而優(yōu)化

● 集成軟關(guān)斷、兩級關(guān)斷功能，針對 SiC 獨(dú)特的柵極驅(qū)動要求進(jìn)行了優(yōu)化

● 集成 ADC，用于監(jiān)控高壓域參數(shù)

● CMTI > 100 V/ns

●  兼容 200 V 至 1700 V IGBT/SiC，功率范圍 > 125 kW

● 工作溫度范圍 -40 °C 至 125 °C

● 外部爬電距離 (CPG)： > 7.8 毫米

● 提供 3.3 V 或 5.0 V I/O 邏輯接口版本

● 小型封裝（8 毫米 x 13 毫米）32 引腳 SOIC

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