LMG1210RVRR是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器，專為要求超高頻率、高效率的應(yīng)用而開發(fā)， 具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還具備 一個(gè)內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓（而與電源電壓無關(guān)）。

產(chǎn)品特性

? 工作頻率高達(dá) 50MHz

? 10ns 典型傳播延遲

? 3.4ns 高側(cè)至低側(cè)匹配

? 4ns 最小脈寬

? 兩個(gè)控制輸入選項(xiàng)

– 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入

– 獨(dú)立輸入模式

? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流

? 外部自舉二極管可實(shí)現(xiàn)靈活性

? 內(nèi)部 LDO 可實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓軌的適應(yīng)能力

? 高 300V/ns CMTI

? HO 到 LO 的電容小于 1pF

? UVLO 和過熱保護(hù)

? 低電感 WQFN 封裝

產(chǎn)品應(yīng)用

? 高速直流/直流轉(zhuǎn)換器

? 射頻封裝跟蹤

? D 類音頻放大器

? E 類無線充電

? 高精度電機(jī)控制

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