LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計人員在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點振鈴。這些優(yōu)勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?/p>

LMG341xR150 通過集成一系列獨特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品，以簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動器支持 100V/ns 開關(guān)（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱逃逸，而且系統(tǒng)接口信號可提供自監(jiān)控功能。

特性

?TI GaN 工藝通過了實際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試

?支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計

與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能

低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設(shè)計和布局

可調(diào)節(jié)驅(qū)動強(qiáng)度確保開關(guān)性能和 EMI 控制

數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號

僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源

?集成柵極驅(qū)動器

零共源電感

20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率

工藝經(jīng)過調(diào)整的柵極偏置電壓確保可靠性

25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率

逐周期過流保護(hù)

?強(qiáng)大的保護(hù)

無需外部保護(hù)組件

過流保護(hù)，響應(yīng)時間低于 100ns

壓擺率抗擾性高于 150V/ns

瞬態(tài)過壓抗擾度

過熱保護(hù)

針對所有電源軌的 UVLO 保護(hù)

?器件選項：

LMG3410R150：鎖存過流保護(hù)

LMG3411R150：逐周期過流保護(hù)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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