EFC4K110NUZTDG具有超低導(dǎo)通電阻、高電流特性，采用小而薄的 CSP 封裝。最適合 1 至 2 芯鋰離子電池保護(hù)電路。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si 

安裝風(fēng)格: SMD/SMT 

封裝 / 箱體: WLCSP-10 

晶體管極性: N-Channel 

通道數(shù)量: 2 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓: 24 V 

Id-連續(xù)漏極電流: 25 A 

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.95 mOhms 

Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV 

Qg-柵極電荷: 49 nC 

最小工作溫度: - 55 C 

最大工作溫度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 2.5 W 

通道模式: Enhancement 

系列: EFC4K110NUZTDG

配置: Dual 

晶體管類型: 2 N-Channel 

單位重量: 3.158 mg

應(yīng)用

1-2 節(jié)鋰離子電池充放電 電池保護(hù)電路中的開關(guān)

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