商品名稱:碳化硅 (SiC)二極管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-220-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
E6D16065A是一款650 V, 16 A第6代分立碳化硅肖特基二極管,采用TO-220-2 封裝。
Wolfspeed E6Dx系列650V碳化硅(SiC)肖特基二極管通過實現(xiàn)比硅基替代產(chǎn)品更高的效率來提高電力電子系統(tǒng)的性能。此外,這些產(chǎn)品還支持實現(xiàn)更高的工作頻率和功率密度。
規(guī)格
產(chǎn)品::碳化硅肖特基二極管
安裝風(fēng)格::通孔
封裝 / 箱體::TO-220-2
配置::Single
技術(shù)::SiC
If - 正向電流::54 A
Vrrm - 重復(fù)反向電壓::650 V
Vf - 正向電壓::1.3 V
Ifsm - 正向浪涌電流::123 A
Ir - 反向電流 ::5 uA
工作溫度范圍::- 55°C to + 175°C
Pd-功率耗散::143 W
工廠包裝數(shù)量::50
Vr - 反向電壓 ::650 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ,屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù),優(yōu)化電源端子布局,可降低電感并減少過沖電壓,同時具備低開關(guān)損耗特性。核心參數(shù)技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(…ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊,屬于YM系列六包三相模塊,額定電壓為1200V,額定電流460A,導(dǎo)通電阻2.8mΩ,采用 Gen 3 工藝,最高結(jié)溫可達175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm,適用于汽車電子領(lǐng)域。主要規(guī)格產(chǎn)品:ECB2R8M12YM3技術(shù):碳化硅(SiC)配…ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ,屬于六單元模塊 (YM系列),適用于汽車電子領(lǐng)域。以下是其核心參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):700A不同 Id、Vgs 時…C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…電話咨詢:86-755-83294757
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