商品名稱:32位微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:WLCSP-76
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C4128FNI-BL593T 基于帶有 AIROC? 藍牙LE 的 Arm? Cortex-M0 32位微控制器 IC。其功能包括數(shù)字可編程邏輯、高性能模數(shù)轉換(ADC)、帶比較器模式的運算放大器以及標準通信和定時外設。
CY8C4128FNI-BL593T - 主要功能:
藍牙? LE 無線電和子系統(tǒng)
- 支持 藍牙? LE 4.2 的 2.4GHz 射頻收發(fā)器和 50Ω 天線驅動器
- 數(shù)字 PHY
- 鏈路層引擎,支持主模式和從模式
- 射頻輸出功率:-18dBm 至 +3dBm
- 接收靈敏度:-89dBm
- RX 電流:16.4 毫安
- 發(fā)送電流:0dBm 時為 15.6mA
- 接收信號強度指示 (RSSI):1 分貝分辨率
32 位 MCU 子系統(tǒng)
- 24MHz Arm? Cortex-M0 CPU,具有單周期乘法功能
- 高達 256KB 的閃存,帶讀取加速器
- 高達 32KB 的 SRAM
多達 36 個可編程 GPIO
電源管理
- 活動模式: 執(zhí)行 3 MHz 閃存程序時為 1.7 mA
- 深度睡眠模式: 手表晶體振蕩器 (WCO) 開啟時:1.3 μA
- 休眠模式: 保留 RAM 時 150 nA
- 停止模式: 60nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Cypress
QFN-40
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB(16K x 8) 閃存 40-QFN(6x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關性能(低品質因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產的一款功率MOSFET產品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現(xiàn)靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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