商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TQFP-100
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4147AZE-S568 - PSoC? 4100S Max 是 PSoC? 4 MCU 平臺架構(gòu)的成員。它結(jié)合了帶有標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè)的微控制器、支持 CAPSENSE? 且具有同類最佳性能的多感應(yīng)轉(zhuǎn)換器塊、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開關(guān)電容模擬塊以及可編程連接。
CY8C4147AZE-S568 汽車 PSoC? 4100S Max:基于 ARM? Cortex?-M0+ CPU 的 48MHz、32 位微控制器
系列 PSOC? 4 CY8C4100S
核心處理器 ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格 32-位
速度 48MHz
I/O 數(shù) 84
程序存儲容量 128KB(128K x 8)
程序存儲器類型 閃存
RAM 大小 16K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 16x12b SAR
振蕩器類型 外部,內(nèi)部
工作溫度 -40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 100-TQFP(14x14)
封裝/外殼 100-LQFP
CY8C4147AZE-S568 (PSoC? 4100S Max) - 方框圖:
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同類最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封裝。該產(chǎn)品滿足從低到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。ISC033N03LF2S主要具備以下參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C …電話咨詢:86-755-83294757
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