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商品名稱(chēng):微控制器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TQFP-128
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CYAT817AZS88-5BFBA 是多點(diǎn)觸控 Gen7XL 控制器,采用 32 位 Arm? Cortex? CPU、典型功耗為 150μA 的屏幕喚醒技術(shù),以及針對(duì)顯示和射頻噪聲的噪聲抑制技術(shù)。
CYAT817AZS88-5BFBA 的特點(diǎn)
32 位 Arm? Cortex? CPU
針對(duì)顯示和射頻噪聲的噪聲抑制技術(shù)
可配置寄存器
35 毫米懸停
刷新率為 120Hz 的 Force Touch
觸覺(jué)和聲音反饋
用于電源開(kāi)/關(guān)的低功耗 CapSense 按鈕
屏幕喚醒,典型功耗為 150μA
支持滑動(dòng)、分屏和 Android? 驅(qū)動(dòng)程序
防水和濕手指跟蹤
大物體抑制
低功耗觸摸模式
通過(guò)引導(dǎo)加載程序進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)
賽普拉斯制造測(cè)試工具包(MTK)
觸摸屏傳感器自檢
支持自由形狀
CYAT817AZS88-5BFBA 的應(yīng)用
汽車(chē)主機(jī)
汽車(chē)儀表盤(pán)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
NFBGA-337
2500
基于C28x內(nèi)核的汽車(chē)類(lèi) C2000 實(shí)時(shí)微控制器,200MHz、1MB 閃存
TI
HTQFP-100
2000
基于C28x內(nèi)核的汽車(chē)類(lèi) C2000 實(shí)時(shí)微控制器,200MHz、1MB 閃存
TI
HTQFP-80
2500
基于C28x內(nèi)核的汽車(chē)類(lèi) C2000 實(shí)時(shí)微控制器,90MHz、128KB 閃存
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡(jiǎn)化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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