IQE220N15NM5CG 屬于 Source-Down 系列，RDS(on) 為 22 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片，在元件內(nèi)部倒置。

IQE220N15NM5CG：表面貼裝型 N 通道 150 V 44A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） PG-TTFN-9-3

產(chǎn)品屬性

制造商： Infineon Technologies  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 150 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：44A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 22 毫歐 @ 16A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.6V @ 46μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 18.3 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF @ 75 V   

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TTFN-9-3  

封裝/外殼： 9-PowerTDFN 

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