GS-065-011-6-LR-MR 是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率等特性。它采用底部冷卻 PDFN 封裝，結(jié)殼熱阻極低，非常適合要求苛刻的大功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起，確保了極高的功率開關(guān)效率。

特性

700 V 電子模式功率晶體管

850 V 漏極至源極瞬態(tài)電壓

底部冷卻、8x8 毫米 PDFN 封裝

RDS(on) = 125 mΩ

IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A

超低 FOM

柵極驅(qū)動要求（0 V 至 6 V）

開關(guān)頻率高（> 1 MHz）

快速、可控的下降和上升時間

反向?qū)芰?/span>

零反向恢復(fù)損耗

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 12.2A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 180 毫歐 @ 3.2A，6V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 2.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 2.2 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 70 pF @ 400 V  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 8-PDFN（8x8）  

封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤 

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