VND14NV04TR是采用意法半導體VIPower? M0技術制造的單片器件，旨在替代直流至50KHz應用中的標準功率MOSFET。內置熱關斷、線性電流限制和過壓鉗制可在惡劣環(huán)境中保護芯片。

特性

• 線性電流限制

• 熱關斷

• 短路保護

• 集成鉗制

• 從輸入引腳獲取的低電流

• 通過輸入引腳的診斷反饋

• ESD保護

• 直接進入功率MOS的柵極 直接進入功率MOSFET的柵極（模擬驅動）

• 與標準的功率MOSFET兼容

屬性

系列： OMNIFET II?, VIPower?    

開關類型： 通用  

輸出數： 1  

比率 - 輸入:輸出： 1：1  

輸出配置： 低端  

輸出類型： N 通道  

接口： 開/關  

電壓 - 負載： 36V（最大）  

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 不需要  

電流 - 輸出（最大值）： 12A  

導通電阻（典型值）： 35 毫歐（最大）  

輸入類型： 非反相  

特性： -  

故障保護： 限流（固定），超溫，過壓  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： DPAK  

封裝/外殼： TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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