ACS772KCB-150B-SMT-T器件由一個精密的、低偏移的線性霍爾電路組成，它的銅傳導(dǎo)路徑位于芯片附近。流經(jīng)該銅傳導(dǎo)路徑的外加電流產(chǎn)生一個磁場，霍爾集成電路將其轉(zhuǎn)換為一個比例電壓。通過磁信號與霍爾傳感器的接近，器件的精度得到了優(yōu)化。一個精確的比例輸出電壓由低偏移、斬波穩(wěn)定的BiCMOS霍爾IC提供，該IC在出廠時已被編程以保證精度。專有的數(shù)字溫度補償技術(shù)大大提高了IC的精度和溫度穩(wěn)定性。

Allegro專有的集成屏蔽技術(shù)提供了對電流導(dǎo)體dV/dt和雜散電場的高度抗擾性，在高壓側(cè)的應(yīng)用中實現(xiàn)了低輸出電壓紋波和低偏移。

特性和優(yōu)勢

? 符合AEC-Q100 1級標(biāo)準(zhǔn)

? 典型的2.5μs輸出響應(yīng)時間

? 5 V電源操作 

? 超低的功率損耗： 100 μΩ的內(nèi)部導(dǎo)體電阻

? 強化的電隔離允許在經(jīng)濟上使用、 高電壓系統(tǒng)中的高壓側(cè)電流感應(yīng)

? 4800 Vrms的介電強度通過了UL60950-1的認(rèn)證

? 業(yè)界領(lǐng)先的噪聲性能，通過專有的放大器和 通過專有的放大器和濾波器設(shè)計技術(shù)，大大提高了帶寬 濾波器的設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的噪聲性能，并大大提高了帶寬

? 集成的屏蔽層大大降低了電容耦合 由于高dV/dt信號，從電流導(dǎo)體到芯片的電容耦合、 并防止在高壓側(cè)的偏移。應(yīng)用中的偏移

? 通過數(shù)字編程和補償增益和偏移，大大改善了總輸出誤差 在整個工作溫度范圍內(nèi)，通過數(shù)字編程和補償?shù)脑鲆婧推?，大大改善了總的輸出誤差。在整個工作溫度范圍內(nèi)，通過數(shù)字編程和補償增益和偏移，大大改善了總輸出誤差

? 封裝尺寸小，易于安裝

? 單片式霍爾IC，可靠性高

? 輸出電壓與交流或直流電流成正比

? 工廠調(diào)整后的精度

? 極其穩(wěn)定的輸出偏移電壓

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