商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:50000 件
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STF22NM60N是采用第二代 MDmesh? 技術(shù)開(kāi)發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。這種革命性的功率 MOSFET 將垂直結(jié)構(gòu)與公司的條狀布局相結(jié)合,從而實(shí)現(xiàn)了世界上最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。因此,它適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。
STF22NM60N產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 220 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 38 ns
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 18 ns
系列: STF22NM60N
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 74 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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STGB30M65DF2
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STGB10NB37LZT4是一款N溝道IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),采用D2PAK(TO-263-3)封裝,適用于高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)控制系統(tǒng)。L99MH98
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STBR3012L2Y是(STMicroelectronics)推出的一款汽車用高壓整流器,采用 HU3PAK 封裝,專為需要長(zhǎng)期可靠性的重型應(yīng)用設(shè)計(jì),例如汽車應(yīng)用。以下是其核心參數(shù):技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V電流 - 平均整流 (Io):30A不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.3 …電話咨詢:86-755-83294757
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