商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:AG-EASY3B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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F4-10MR20W3M1H是一款MOSFET模塊,屬于英飛凌的CoolSiC技術產品系列。
F4-10MR20W3M1H的主要技術參數(shù)包括:
電壓?:2000V
電流?:120 A
?柵極電壓?:推薦開通電壓15-18V,關斷電壓-5~0V
?最大結溫?:175℃
F4-10MR20W3M1H模塊適用于高性能和可靠性要求的應用場景,如:
電動汽車充電系統(tǒng)?:提供高效的電力轉換和能量管理。?
逆變器設計?:特別是在數(shù)據(jù)中心和工業(yè)應用中,需要高效、可靠的電源解決方案。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結構降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應用設計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設計復雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認證產品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術,憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。ISC165N15NM6 的特點與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標準模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標桿。OptiMOS? 6 150 V 技術專為滿足高頻率和低頻率開關應用的需求而設計,適用于硬開關和軟開關模式。結合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達 9…電話咨詢:86-755-83294757
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