商品名稱:碳化硅(SiC)模塊
品牌:Wolfspeed
年份:25+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。
HAS350M12BM3具有以下特性:
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):350A
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)62mm占位面積,可進(jìn)行系統(tǒng)改造
提供各種額定電流和額定電壓,可滿足各種工業(yè)應(yīng)用的要求
高濕度運(yùn)行:THB-80(HV-H3TRB)
超低損耗、高頻運(yùn)行
二極管零反向恢復(fù)
來(lái)自 MOSFET 的零關(guān)斷拖尾電流
常關(guān)型、故障安全器件運(yùn)行
由于SiC的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗低,因此提高了系統(tǒng)效率
快速上市,從62mm IGBT封裝過(guò)渡所需的開(kāi)發(fā)極少
銅基板和氮化鋁絕緣體
HAS350M12BM3的應(yīng)用范圍
感應(yīng)加熱
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
可再生能源
鐵路輔助和牽引
電動(dòng)車快速充電
UPS和SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ,屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù),優(yōu)化電源端子布局,可降低電感并減少過(guò)沖電壓,同時(shí)具備低開(kāi)關(guān)損耗特性。核心參數(shù)技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(…ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊,屬于YM系列六包三相模塊,額定電壓為1200V,額定電流460A,導(dǎo)通電阻2.8mΩ,采用 Gen 3 工藝,最高結(jié)溫可達(dá)175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm,適用于汽車電子領(lǐng)域。主要規(guī)格產(chǎn)品:ECB2R8M12YM3技術(shù):碳化硅(SiC)配…ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ,屬于六單元模塊 (YM系列),適用于汽車電子領(lǐng)域。以下是其核心參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):700A不同 Id、Vgs 時(shí)…C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開(kāi)關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…電話咨詢:86-755-83294757
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