IPB025N10N3G 100 V OptiMOS? 功率 MOSFET 為高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解決方案。與次優(yōu)技術相比,該系列產品的 RDS(導通)和 FOM(優(yōu)點系數)均降低了 30%。
IPB025N10N3G 的特點
出色的開關性能
全球最低的 RDS(on)
極低的 Qg 和 Qgd
出色的柵極電荷 x RDS(導通)乘積(FOM)
符合 RoHS 規(guī)范,無鹵素
MSL1 額定值 2
IPB025N10N3G 的優(yōu)點
環(huán)保
效率更高
功率密度最高
并聯需求更少
占用最小的電路板空間
易于設計的產品
IPB025N10N3G 的應用
用于 AC-DC SMPS 的同步整流
48 V-80 V 系統(tǒng)的電機控制(如家用車、電動工具、卡車)
隔離式 DC-DC 轉換器(電信和數據通信系統(tǒng)
48 V 系統(tǒng)中的調諧開關和斷路器
D 類音頻放大器
不間斷電源 (UPS)
48 V 至 12 V DC-DC 轉換器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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FP75R12KT4-B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊,屬于 EconoPIM? 3 系列,采用 三相反相器配置,適用于 工業(yè)電機驅動、變頻器、UPS 電源 等高功率應用。FP75R12KT4B16
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F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機械特性- CTI >電話咨詢:86-755-83294757
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