F1763NBGI8單通道器件設(shè)計為采用單 5V 電源供電。它針對在 2000MHz - 2900MHz 頻段的多模式、多載波基站接收器中使用低側(cè)或高側(cè) LO 進(jìn)行了優(yōu)化。F1763NBGI8支持 50MHz 至 500MHz 的 IF 頻率。該器件標(biāo)稱值提供 42 dBm 輸出 IP3 和 200mA ICC。
主要規(guī)格
頻率:2.3GHz ~ 2.7GHz
混頻器數(shù):1
增益:12.2dB
噪聲系數(shù):10.9dB
輔助屬性:-
電流 - 供電:200mA
電壓 - 供電:4.75V ~ 5.25V
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:20-QFN
此外,F(xiàn)1763NBGI8混頻器還具有以下特征:
多載波系統(tǒng)的理想選擇
低側(cè)或高端 LO
11.7dB 增益
使用 HS LO 的超線性 45dBm IP3O 或使用 LS LO 的 42dBm IP3O
9.7 分貝 NF
200 Ω 輸出阻抗
寬平坦性能 IF BW
直接驅(qū)動 ADC 用于 DPD 應(yīng)用
低功耗
5x5 20 引腳封裝
待機模式
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
R5F1026AASP
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TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…電話咨詢:86-755-83294757
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