IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開關和導通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性，因此適合用于硬開關和軟開關拓撲結構。

關鍵參數

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 16.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 440μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2462 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：227W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

此外，這款CoolMOS? CM8 650V MOSFET符合RoHS標準，且完全符合JEDEC工業(yè)應用標準。IPW65R060CM8典型應用包括LLC諧振轉換器、AI服務器、電信電源和數據中心。

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