IKW75N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），廣泛應(yīng)用于高功率控制和轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用先進的 Trenchstop? T 系列技術(shù)，具有高電流密度、低熱阻和寬安全工作區(qū)等特性。

IKW75N60T特性

低導(dǎo)通損耗：V<sub> 為 1.7V（@I<sub>=40A），降低傳導(dǎo)損耗。

低開關(guān)損耗：優(yōu)化的開關(guān)特性，減少能量損耗。

高電流密度：在相同封裝下，電流提升 20%，適合高功率應(yīng)用。

低熱阻：R<sub>=0.5K/W，散熱性能優(yōu)異。

快速恢復(fù)二極管：反并聯(lián)發(fā)射極控制二極管，具有非常柔軟、快速恢復(fù)特性。

高耐用性：高瞬態(tài)電流耐受能力，確保在惡劣條件下的可靠性。

IKW75N60T 規(guī)格參數(shù)

集電極電流（Ic）：最大 80A

集射極擊穿電壓（Vce(max)）：600V

導(dǎo)通電壓（Vce(on)）：2V（@15V，75A）

開關(guān)頻率：≤20kHz（針對低頻優(yōu)化）

封裝類型：TO-247-3

安裝類型：通孔

工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C

存儲溫度范圍：-55°C 至 +150°C

柵極電荷（Qg）：470nC

反向恢復(fù)時間（trr）：121ns

開通延遲時間（ton）：33ns

關(guān)斷延遲時間（toff）：330ns

IKW75N60T 應(yīng)用領(lǐng)域：

變頻器

不間斷電源

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