商品名稱:IGBT 模塊
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF900R17ME7B11.pdf
品牌:INFINEON
年份:22+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
FF900R17ME7B11搭載TRENCHSTOP? IGBT7 第七代發(fā)射極控制二極管、NTC、PressFIT壓接技術(shù),還可預(yù)涂熱界面材料(TIM)。FF900R17ME7B11具有最高功率密度,出類拔萃的VCE,sat,過(guò)載時(shí)Tvj op = 175°C,優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗,增強(qiáng)dv/dt可控性,改善二極管軟度和Erec損耗,增強(qiáng)對(duì)宇宙射線的耐受能力,改進(jìn)的端子,壓接式驅(qū)動(dòng)引腳和螺釘式功率端子,模塊內(nèi)集成NTC溫度傳感器,絕緣基板,設(shè)計(jì)采用模塑端子,結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,外形尺寸不變的情況下,可實(shí)現(xiàn)更高逆變器輸出電流,避免并聯(lián)IGBT模塊,簡(jiǎn)化逆變器系統(tǒng),從而降低系統(tǒng)成本,裝配簡(jiǎn)便,極為可靠。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
配置:2 個(gè)獨(dú)立式
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):900 A
功率 - 最大值:20 mW
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,900A
電流 - 集電極截止(最大值):5 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):93.8 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
? 大功率變流器
? 中壓變流器
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? 風(fēng)力渦輪機(jī)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S25FL128SDSBHI213
S25FL128SDSBHI213 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSBHI213 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…S25FL128SDSMFBG13
S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說(shuō)明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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