IPA60R125CFD7 [N-通道功率MOSFET] 600V,CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET 晶體管,PG-TO220-3
產品詳情:
型號:IPA60R125CFD7
封裝:PG-TO220-3
類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管
說明:
IPA60R125CFD7——600V,CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET 采用了英飛凌的高壓超結 MOSFET 技術,集成了快速體二極管,是CoolMOS? 7系列的新一代產品。CoolMOS ? CFD7 具有降低的柵極電荷 (Qg) 和改善的關斷行為,與競爭產品相比,反向恢復電荷 (Qrr) 降低了 69%,并且具有市場上最低的反向恢復時間 (trr)。
IPA60R125CFD7 產品屬性:
系列:OptiMOS?
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):125 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 390μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1503 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):32W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
IPA60R125CFD7 產品特性:
CoolMOS ? 7 系列
低柵極電荷
低存儲能量 COSS
低 Qrr
型號
品牌
封裝
數量
描述
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S25FS064SAGBHM020 四通道串行外設接口閃存是一款高性能、低功耗存儲解決方案,廣泛應用于各類嵌入式系統(tǒng),例如智能手機、平板電腦和數碼相機等消費電子產品。S25FS064SAGBHM020 特性? 支持多I/O的串行外設接口(SPI)- SPI時鐘極性與相位模式0/3- 雙倍數據速率(DDR)選…S25FS512SAGNFM010
S25FS512SAGNFM010是一款高性能NOR閃存芯片,存儲容量為512MBIT,支持多種串行接口及高級數據保護功能。S25FS512SAGNFM010特性? 支持多I/O模式的串行外設接口(SPI)- SPI時鐘極性與相位模式0和3- 雙倍數據速率(DDR)選項- 擴展尋址:24位或32位地址選項- 串行命令子集…電話咨詢:86-755-83294757
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