S29GL064S70DHI040是一款采用65納米MIRRORBIT?技術(shù)制造的3.0伏單電源閃存。該器件容量為64兆位，組織結(jié)構(gòu)為4,194,304字或8,388,608字節(jié)。根據(jù)型號不同，該器件僅具備16位數(shù)據(jù)總線，或通過BYTE#輸入可切換為8位數(shù)據(jù)總線模式。可通過主機(jī)系統(tǒng)或標(biāo)準(zhǔn)EPROM編程器進(jìn)行編程。

S29GL064S70DHI040特性

CMOS 3.0V核心架構(gòu)，配備多功能I/O接口

單電源供電模式

采用65納米MIRRORBIT?工藝制造

安全硅區(qū)設(shè)計(jì)

出廠預(yù)編程鎖定或用戶自定義編程

靈活分區(qū)架構(gòu)

64Mb（統(tǒng)一分區(qū)型號）：128個(gè)32K字（64KB）分區(qū)

64Mb（引導(dǎo)分區(qū)型號）：127個(gè)32K字（64KB）分區(qū) + 8個(gè)4K字（8KB）引導(dǎo)分區(qū)

自動錯誤檢查與糾錯（ECC）——內(nèi)置硬件ECC支持單比特錯誤糾正

增強(qiáng)型多功能I/O控制

兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

提供單電源閃存引腳布局與軟件兼容性，具備卓越的誤寫保護(hù)功能

每扇區(qū)最低100,000次擦寫循環(huán)

典型數(shù)據(jù)保留期20年

性能特征

高性能

70納秒訪問時(shí)間

8字/16字節(jié)頁面讀取緩沖區(qū)

15納秒頁面讀取時(shí)間

128字/256字節(jié)寫入緩沖區(qū)，可縮短多字更新的整體編程時(shí)間

低功耗

5MHz典型初始讀取電流25mA

33MHz典型頁面讀取電流7.5mA

典型擦除/編程電流：50 mA

典型待機(jī)模式電流：40 μA

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。