S25FL256SDPNFV001是一款256Mbit NOR閃存。該器件通過SPI接口連接至主機系統(tǒng),支持傳統(tǒng)SPI單比特串行輸入輸出(SingleI/O或SIO),同時提供可選的雙比特(Dual I/O或DIO)和四比特(Quad I/O或QIO)串行命令模式。
S25FL256SDPNFV001特性
? 3.0V CMOS核心架構(gòu),配備多功能I/O接口
? 支持多I/O模式的SPI接口
- SPI時鐘極性與相位模式0/3兼容
- DDR模式可選
- 擴展尋址:24位或32位地址選項
- 串行命令集與封裝尺寸兼容S25FL-A、S25FL-K及S25FL-P SPI系列
- 多I/O命令集與封裝尺寸兼容S25FL-P SPI系列
? 讀取命令
- 標準/快速/雙倍速/四倍速/快速DDR/雙倍速DDR/四倍速DDR
- 自動啟動功能:上電或復(fù)位后自動執(zhí)行預(yù)選地址的標準/四倍速讀取命令
- 配置信息采用通用閃存接口(CFI)數(shù)據(jù)
? 編程(1.5 MBps)
- 256或512字節(jié)頁編程緩沖區(qū)選項
- 適用于低時鐘系統(tǒng)的高效四路輸入頁編程(QPP)
- 自動生成ECC內(nèi)部硬件糾錯碼,支持單比特錯誤糾正
? 擦除(0.5至0.65 MBps)
- 混合扇區(qū)尺寸選項 - 地址空間頂部或底部設(shè)置32個4KB物理扇區(qū),其余均為64KB扇區(qū),兼容前代S25FL器件
- 統(tǒng)一扇區(qū)選項 - 始終擦除256KB塊,確保與高密度及未來器件的軟件兼容性
? 循環(huán)耐受性
- 最低100,000次編程-擦除循環(huán)
? 數(shù)據(jù)保留
- 最低20年數(shù)據(jù)保留期
? 安全特性
- 1024字節(jié)一次性可編程(OTP)陣列
- 塊保護
? 狀態(tài)寄存器位可控制對連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除保護
? 軟硬件控制選項
- 高級扇區(qū)保護(ASP)
? 通過啟動代碼或密碼控制的獨立扇區(qū)保護
? 采用Eclipse架構(gòu)的65納米MIRRORBIT?技術(shù)
? 核心供電電壓:2.7V至3.6V
? I/O供電電壓:1.65V至3.6V
? 狀態(tài)寄存器位用于控制對連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除保護? 硬件與軟件控制選項- 高級扇區(qū)保護(ASP)- 通過啟動代碼或密碼控制的獨立扇區(qū)保護- 采用Eclipse架構(gòu)的65納米MIRRORBIT?技術(shù)- 核心供電電壓:2.7 V至3.6 V- I/O供電電壓:1.65 V至3.6 V
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EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標準的單通道高壓柵極驅(qū)動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動器適用于高達 1200 V 的 SiC MOSFET高達 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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