APTM10DSKM19T3G是一款功率MOSFET模塊，采用SP3F封裝，專為高效率電力轉(zhuǎn)換設(shè)計。其核心參數(shù)包括：

配置：雙降壓斬波器

電壓：100V

RDSon (mR) 典型值：19mOhm

電流Tc=80°C：50A

硅類型：MOSFET

封裝：SP3F

核心特性

低導通電阻?：典型值為19mΩ（@25°C），顯著降低能量損耗。 ?

高可靠性?：具備Avalanche能量保護（30mJ），能承受高瞬態(tài)電壓沖擊。 ?

低柵極電荷?：優(yōu)化開關(guān)速度，降低電磁干擾。 ?

溫度監(jiān)測?：內(nèi)置熱敏電阻，便于實時監(jiān)控工作溫度。

目標應(yīng)用

APTM10DSKM19T3G適用于AC/DC電機控制、開關(guān)電源等場景，可承受高溫環(huán)境（結(jié)溫可達208W）。

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