NCP1611ADR2G采用創(chuàng)新的電流控制頻率折返（CCFF）方法設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)PFC升壓級(jí)。在此模式下，當(dāng)電感電流超過可編程閾值時(shí)，電路典型工作于臨界導(dǎo)通模式（CrM）。當(dāng)電流低于預(yù)設(shè)值時(shí)，NCP1611ADR2G會(huì)線性衰減頻率，直至電流歸零時(shí)降至約20kHz。CCFF技術(shù)在額定負(fù)載與輕載條件下均實(shí)現(xiàn)效率最大化，尤其將待機(jī)損耗降至最低。與FCCrM控制器類似，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)即使在降低開關(guān)頻率時(shí)仍能維持接近單位因數(shù)的功率因數(shù)。該芯片采用SO-8封裝，集成實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健緊湊PFC級(jí)所需的關(guān)鍵特性，僅需極少外部元件。

NCP1611ADR2G 特性

? 近單位功率因數(shù)

? 臨界導(dǎo)通模式（CrM）

? 電流控制頻率折返（CCFF）：低電流水平強(qiáng)制低頻運(yùn)行

? 導(dǎo)通時(shí)間調(diào)制確保CCFF模式下電流波形優(yōu)化

? 線路零交叉點(diǎn)附近跳頻模式

? 快速線路/負(fù)載瞬態(tài)補(bǔ)償（動(dòng)態(tài)響應(yīng)增強(qiáng)器）

? 谷值導(dǎo)通

? 高驅(qū)動(dòng)能力：?500 mA / +800 mA

? VCC電壓范圍：9.5 V至35 V

? 低啟動(dòng)功耗

? A版本：低VCC啟動(dòng)電壓（10.5 V），B版本：高VCC啟動(dòng)電壓（17.0 V）

? 線路電壓范圍檢測

? 可配置實(shí)現(xiàn)寬輸入/負(fù)載范圍下的低諧波含量

? 符合EN61000-3-2 C類標(biāo)準(zhǔn)，適用于寬負(fù)載范圍的可調(diào)光鎮(zhèn)流器

? 無鉛封裝器件

NCP1611ADR2G 參數(shù)

開關(guān)頻率: 20 kHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

Pd-功率耗散: 550 mW

NCP1611ADR2G 典型應(yīng)用

? 電腦、電視、適配器電源

? LED驅(qū)動(dòng)器與鎮(zhèn)流器（含可調(diào)光型號(hào)）

? 所有需功率因數(shù)校正的離線應(yīng)用

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