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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

來源:本站時間:2025-08-29瀏覽數(shù):

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。三款器…

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。

產(chǎn)品.png

三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET,采用通用表面貼裝TOLL封裝,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比,可將器件體積銳減80%以上,并提升設備功率密度。


此外,TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗,從而降低開關損耗。作為一款4引腳封裝,支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響,實現(xiàn)高速開關性能;在TW048U65C的外殼中,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品]相比,其開通損耗降低約55%,關斷損耗降低約25%,有助于降低設備功耗。


未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線,為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。


應用:

-服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等中的開關電源

-電動汽車充電站

-光伏逆變器

-不間斷電源


特性:

-表面貼裝TOLL封裝,實現(xiàn)設備小型化和自動化組裝,低開關損耗

-東芝第3代SiC MOSFET

·通過優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比,實現(xiàn)漏源導通電阻的良好溫度依賴性

·低漏源導通電阻×柵漏電荷

·低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)


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