IPB65R110CFDA功率晶體管采用面向高壓功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS? 技術(shù)，該技術(shù)根據(jù)超結(jié)原理 (SJ) 設(shè)計(jì)，并由 Infineon Technologies 率先應(yīng)用。 CoolMOS? C6和E6系列功率晶體管融合了一流SJ MOSFET供應(yīng)商的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，并兼具高度的創(chuàng)新性。 它在提供快速開關(guān)SJ MOSFET的所有優(yōu)勢的同時(shí)，絲毫沒有犧牲易用性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：31.2A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 12.7A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：118 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3240 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：277.8W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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