NVMFWS027N10MCLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道

技術： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 7.9A（Ta），28A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 26 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3V @ 38μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 11.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 800 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），46W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

等級： 汽車級

資質(zhì)： AEC-Q101

安裝類型： 表面貼裝，可潤濕側(cè)翼

供應商器件封裝： 5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

應用

開關電源

電源開關（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

48V 系統(tǒng)

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