商品名稱:射頻解調(diào)器
品牌:Renesas
年份:24+
封裝:36-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1200 件
F1358NBGI8是一款高線性復(fù)雜中頻數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 解調(diào)器,內(nèi)置數(shù)字階躍衰減器 (DSA) 和單刀雙擲開關(guān) (SP2T)。它接收從功率放大器輸出的信號,這樣基帶的 I&Q 數(shù)據(jù)在發(fā)送到 Tx DAC 之前就可以進(jìn)行預(yù)失真,以抵消下游功率放大器固有的失真。從功率放大器耦合出來的信號通過 DSA 調(diào)整到較低的電平,然后以 ~200 MHz 的中頻頻率進(jìn)行子采樣,這就需要一個高線性解調(diào)器來從發(fā)射頻率下混到正交中頻。通過對 IF_I 和 IF_Q 進(jìn)行獨(dú)立采樣,然后對這些信號進(jìn)行數(shù)字組合,可以有效地將采樣率提高一倍。這一路徑中的任何失真都會降低 DPD 算法的性能。通過使用集成 DSA 的超線性解調(diào)器(如 IDT F1320/F1370),可顯著改善整個 Tx 系統(tǒng)的 ACLR 和/或功耗。
特性
寬平坦性能 IF BW
寬射頻和 LO BW(~ 800 MHz)
多載波系統(tǒng)的理想選擇
直接驅(qū)動 ADC
超線性 +42 dBm IP3O
出色的 ACLR 性能
200 Ω 輸出阻抗
完全集成的 DPD 解調(diào)器
6x6mm 36 引腳封裝
具有快速恢復(fù)功能的待機(jī)模式
ICC: 230 mA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
R5F1026AASP
R5F1026AASP 是一款基于 RL78 內(nèi)核的 16 位微控制器,專為需要低功耗和高性能的嵌入式應(yīng)用設(shè)計。M38049FFLHP
M38049FFLHP是一款基于740系列內(nèi)核的8位CMOS微控制器,64引腳,采用LFQFP封裝 。RBN75H65T1FPQ-A0
RBN75H65T1FPQ-A0 650V、75A 溝槽絕緣柵雙極晶體管(IGBT)提供低集電極至發(fā)射極飽和電壓、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管(FRD),可用于電源開關(guān)應(yīng)用。M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產(chǎn)的 8 位微控制器,屬于 3804L 系列。TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>電話咨詢:86-755-83294757
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