STW14NK50Z是一款N 溝道功率 MOSFET，屬于 SuperMESH? 系列，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力等特點。SuperMESHTM 系列是通過對意法半導(dǎo)體成熟的帶狀 PowerMESHTM 布局進行極致優(yōu)化而產(chǎn)生的。除了大幅降低導(dǎo)通電阻外，還特別注意確保為最苛刻的應(yīng)用提供出色的 dv/dt 能力。該系列產(chǎn)品是對意法半導(dǎo)體全系列高壓 MOSFET（包括革命性的 MDmeshTM 產(chǎn)品）的補充。

特點

極高的 dv/dt 能力

100% 經(jīng)過雪崩測試

柵極電荷最小化

極低的本征電容

非常好的制造重復(fù)性

規(guī)格

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V

Id-連續(xù)漏極電流: 14 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 380 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 92 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 12 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 12 S

高度: 20.15 mm

長度: 15.75 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 16 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 54 ns

典型接通延遲時間: 24 ns

寬度: 5.15 mm

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