商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水線 SRAM,采用 QDR II+ 架構(gòu)。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
獨(dú)立的讀寫數(shù)據(jù)端口
支持并發(fā)事務(wù)
250 MHz 高帶寬時(shí)鐘
雙字突發(fā)可降低地址總線頻率
讀寫端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 接口(數(shù)據(jù)傳輸速率為 500 MHz),頻率為 250 MHz
提供 2.0 個(gè)時(shí)鐘周期的延遲
兩個(gè)輸入時(shí)鐘,用于精確的 DDR 時(shí)序
SRAM 僅使用上升沿
回波時(shí)鐘簡化了高速系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)捕獲
數(shù)據(jù)有效引腳 (QVLD) 在輸出端指示有效數(shù)據(jù)
片上終止 (ODT) 功能
單多路復(fù)用地址輸入總線鎖存讀寫端口的地址輸入
用于深度擴(kuò)展的獨(dú)立端口選擇
當(dāng) DOFF 為高電平時(shí),四倍數(shù)據(jù)速率 II+ 的讀取延遲為 2.0 個(gè)周期
操作類似于 QDR I 器件,當(dāng) DOFF 為低電平時(shí),讀取延遲為一個(gè)周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 電源
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 輸入和可變驅(qū)動(dòng) HSTL 輸出緩沖器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的測試訪問端口
鎖相環(huán) (PLL),用于準(zhǔn)確放置數(shù)據(jù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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