RMLV1616AGBG-5U2是一款16Mb 低功耗SRAM存儲器，能夠為工廠自動化（FA）、工業(yè)設備、智能電網(wǎng)等應用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。

與具有片上 ECC 的典型 SRAM 相比，RMLV1616AGBG-5U2存儲器實現(xiàn)了更高的軟誤差抗擾度，這是通過瑞薩電子獨特的高級 LPSRAM 技術實現(xiàn)的。因此，它適用于備用電池系統(tǒng)。

核心規(guī)格

存儲器類型：易失

存儲器格式：SRAM

技術：SRAM - 異步

存儲容量：16Mb

存儲器組織：1M x 16，2M x 8

存儲器接口：并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁：55ns

訪問時間：55 ns

電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：48-TFBGA（7.5x8.5）

應用場景

RMLV1616AGBG-5U2存儲器廣泛應用于工廠自動化、測量設備、智能電網(wǎng)相關設備、交通系統(tǒng)、工業(yè)設備等場景。

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