ADMV1239BBCZ 是一款集成在單芯片上的37.0 GHz至43.5 GHz、mmW 5G雙通道上變頻器、雙通道下變頻器和波束成形器。RF集成電路(RFIC)采用2x8配置，集成了兩個(gè)發(fā)射/接收流(2T2R)和16個(gè)獨(dú)立的TX和RX波束成形器通道，支持單極化和雙極化陣列設(shè)計(jì)。

片內(nèi)發(fā)射接收開關(guān)通過1:8功率分配器/合成器將每個(gè)極化的上變頻器RF輸出和下變頻器RF輸入連接到八個(gè)獨(dú)立的通道。

ADMV1239BBCZ采用緊湊的芯片級球柵陣列封裝。ADMV1239BBCZ在?40°C至+95°C的外殼溫度(TC)范圍內(nèi)工作。這種封裝支持ADMV1239BBCZ從封裝頂部散熱，以實(shí)現(xiàn)高效散熱，并允許在印刷電路板(PCB)的另一側(cè)靈活放置天線。

ADMV1239BBCZ 產(chǎn)品特性

集成16 (2x8)通道波束形成器，與2通道發(fā)射(TX)和2通道接收(RX)通道上變頻器/下變頻器(UDC)配對

RF范圍：37.0 GHz至43.5 GHz

x4 LO倍頻鏈

用于雜散抑制的可選外部濾波

與上一代相比，大幅降低每個(gè)波束形成器通道的功耗

16個(gè)可配置TX和RX通道

雙極化、8個(gè)水平和8個(gè)垂直通道與獨(dú)立UDC配對

匹配50Ω、單端RF輸入/輸出和單端LO輸入

快速TDD開關(guān)（使用TRX_x引腳）

片內(nèi)溫度傳感器用于RX和TX自動溫度補(bǔ)償和增益設(shè)置

存儲器用于TX和RX波束位置

NVM用于相位和增益校準(zhǔn)

上變頻模式

邊帶抑制和載波饋通優(yōu)化

用于LO饋通校準(zhǔn)的包絡(luò)檢波器

單通道功率檢波器

下變頻模式

集成單個(gè)RX通道過載檢測電路

3線式或4線式SPI支持高達(dá)133 MHz的SPI時(shí)鐘速度

ADMV1239BBCZ 產(chǎn)品應(yīng)用

mmW 5G應(yīng)用

寬帶通信

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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