ISC015N03LF2S是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? LF系列，采用 SuperSO8（PG-TSDSON-8）封裝。該器件具有 極低導(dǎo)通電阻（RDS(on) = 1.5mΩ @ 10V VGS） 和 優(yōu)化的開關(guān)性能，專為 高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理和電機(jī)驅(qū)動 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

ISC015N03LF2S 核心特性

低導(dǎo)通電阻：最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為 1.5 mΩ（@ VGS=10V），有助于減少功率損耗。

高電流能力：最大漏極電流（ID）可達(dá) 214A。

高雪崩能力：100% 雪崩測試，確保在過載條件下也能可靠工作。

卓越的熱性能：優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)效率和可靠性。

邏輯電平兼容：N 通道，邏輯電平驅(qū)動，易于與現(xiàn)有電路集成。

環(huán)保特性：無鉛鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，且無鹵素。、

規(guī)格參數(shù)

型號：ISC015N03LF2S

品牌：Infineon（英飛凌）

封裝：SuperSO8（PG-TSDSON-8）

通道類型：N溝道增強(qiáng)型

漏源電壓（VDS）： 30V

連續(xù)漏極電流（ID）： 30A（Ta） / 100A（Tc）

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）： 1.5mΩ @ 10V（典型值），1.8mΩ @ 10V（最大值）

柵極電荷（Qg）： 15nC @ 10V

輸入電容（Ciss）： 1200pF @ 15V

柵源電壓（VGS） ：±20V（最大）

閾值電壓（VGS(th)）： 2V @ 250μA

功率耗散（PD）： 2.5W（Ta） / 50W（Tc）

開關(guān)時間：上升時間 < 5ns，下降時間 < 5ns

工作溫度范圍： -55°C ~ +150°C（TJ）

ISC015N03LF2S 應(yīng)用領(lǐng)域

開關(guān)電源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器

電機(jī)驅(qū)動：適用于工業(yè)自動化和電動汽車

服務(wù)器和通信設(shè)備：提供高效率和高可靠性

電池管理系統(tǒng)：在電池管理系統(tǒng)中用于高效的充電和放電控制

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