IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 系列，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8）封裝。該器件具有 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)） 和 高電流承載能力，適用于 高效率電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及工業(yè)自動化 等應(yīng)用。

IPG20N04S4L-18A 核心特性

低導(dǎo)通電阻：4mΩ @ 10V VGS（典型值），降低功率損耗。

連續(xù)漏極電流（ID）：20A（Ta） / 60A（Tc）。

峰值脈沖電流（IDRM）：150A（短時脈沖）。

低柵極電荷（Qg）：12nC @ 10V，減少開關(guān)損耗。

工作溫度范圍：-55°C ~ +175°C（TJ）。

符合AEC-Q101汽車級認(rèn)證，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。

綠色環(huán)保：RoHS 合規(guī)，無鉛設(shè)計。

規(guī)格參數(shù)

型號：IPG20N04S4L-18A

品牌：Infineon（英飛凌）

封裝：TDSON-8（PG-TDSON-8）

通道類型：N溝道增強型

漏源電壓（VDS）： 40V

連續(xù)漏極電流（ID）： 20A（Ta） / 60A（Tc）

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）： 4mΩ @ 10V（典型值）

柵極電荷（Qg）： 12nC @ 10V

輸入電容（Ciss） ：1990pF @ 25V

柵源電壓（VGS）： ±20V（最大）

閾值電壓（VGS(th)）： 2.2V @ 15μA

功率耗散（PD）： 41W（最大值）

工作溫度范圍： -55°C ~ +175°C（TJ）

符合標(biāo)準(zhǔn)：RoHS、無鉛、AEC-Q101（汽車級）

包裝方式：卷帶（Tape & Reel）

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