深圳市明佳達電子有限公司現(xiàn)貨供應英飛凌N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET，適用于電信應用，如服務器電源、通信設備等。產(chǎn)品描述BSC052N08NS5是英飛凌OptiMOS? 5系列的一部分，采用PG-TDSON-8封裝。該器件的最大漏源極電壓（VDS）為80V，最大導…
深圳市明佳達電子有限公司現(xiàn)貨供應英飛凌N溝道功率MOSFET BSC052N08NS5 OptiMOS? 5 80V 功率MOSFET，適用于電信應用，如服務器電源、通信設備等。
產(chǎn)品描述
BSC052N08NS5是英飛凌OptiMOS? 5系列的一部分，采用PG-TDSON-8封裝。該器件的最大漏源極電壓（VDS）為80V，最大導通電阻（RDS(on)）為5.2毫歐，能夠承載最大95A的連續(xù)漏極電流（ID）。其優(yōu)化的開關性能有助于降低開關和導通損耗，從而減少并聯(lián)需求，提高功率密度。
產(chǎn)品特點
高效電源轉換：專為高效電源轉換設計，適用于多種應用場景。
低導通電阻：最大RDS(on)為5.2毫歐，有助于降低導通損耗。
高電流承載能力：最大ID為95A，能夠滿足高功率應用需求。
優(yōu)化的封裝：采用SuperSO8封裝，尺寸為5x6mm，適合緊湊型設計。
寬工作溫度范圍：工作溫度范圍為-55°C至+150°C，適合各種環(huán)境條件。
核心優(yōu)勢
高效節(jié)能：相比上一代產(chǎn)品，RDS(on) 降低 43%，顯著提升功率密度
高電流承載能力：95A 連續(xù)電流，380A 脈沖電流，適用于大功率應用
快速開關：上升/下降時間僅 7ns/5ns，減少開關損耗
寬溫工作范圍：-55°C ~ +150°C，適應嚴苛環(huán)境
低柵極電荷（Qg = 32nC），降低驅動損耗
產(chǎn)品屬性
制造商：Infineon Technologies
型號：BSC052N08NS5
年份：24+
系列：OptiMOS?
零件狀態(tài)：在售
FET 類型：N 通道
技術： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 95A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 5.2 毫歐 @ 47.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.8V @ 49μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
封裝：PG-TDSON-8
典型應用
電信基站電源
服務器/數(shù)據(jù)中心電源
太陽能逆變器
輕型電動車（LEV）電機驅動
工業(yè)自動化控制
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